Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc
Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc
21 disponibles
- Transistor RF tipo N de alta potencia
- Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W
- Operación estable a 7.5 Vcc
- Ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% en RF
- Diseño SMD para montaje superficial
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Modelo: MRF-1517-T1
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Marca: SYSCOM PARTS
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Garantía: 3 años
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Código SAT: 32111600
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Dimensiones: Alto: 1 cm, Largo: 1 cm, Ancho: - cm
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Ficha Técnica
El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
Lo Más Vendido
Preguntas Frecuentes
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Sí. Todos los equipos comercializados por PROCAM son 100% originales, nuevos y provienen directamente de distribuidores autorizados Syscom.
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Sí. Podemos diseñar soluciones integrales (equipo + accesorios + instalación), optimizando costos y rendimiento.
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