Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.
No disponible
- Potencia de salida 70-84W en 175/530 MHz
- Eficiencia de drenador 64-74% a 12.5V
- Diodo integrado de protección de puerta
- Resistencia térmica mínima de 0.17°C/W
- RF linealidad -45dBc ACLR y -40dBc IMD3
- Paquete moldeado para robustez industrial
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Modelo: RD70HUP2
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Marca: SYSCOM
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Garantía: 3 años
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Código SAT: 32111600
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Dimensiones: Alto: 1 cm, Largo: 3 cm, Ancho: 1 cm
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Ficha Técnica
Características Principales
- Transistor MOSFET de potencia para aplicaciones VHF/UHF
- Diseñado para frecuencias de 175 MHz y 530 MHz
- Potencia de salida: 75W (530 MHz) y 84W (175 MHz)
- Eficiencia de drenador: 64% (530 MHz) y 74% (175 MHz)
- Tensión de alimentación: 12.5V
- Corriente de drenador: 20A máximo
- Diodo integrado de protección de puerta
- Paquete moldeado para mayor robustez
- Suministrado en cinta y carrete (500 unidades por carrete)
- Cumple con estándares RoHS
Especificaciones Técnicas
- Tensión drenador-fuente: 40V (máx)
- Tensión puerta-fuente: -5/+10V (máx)
- Corriente de drenador: 20A (máx)
- Disipación de potencia: 425W (teórico en disipador infinito)
- Temperatura de operación: -40°C a +175°C
- Resistencia térmica: 0.17°C/W (mínimo)
- Impedancia de entrada: 50Ω
- Capacitancia de entrada: 300pF (típico a 1MHz)
- Capacitancia de salida: 150pF (típico a 1MHz)
- Capacitancia de retroalimentación: 50pF (típico a 1MHz)
Aplicaciones
- Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
- Sistemas de comunicación móvil en bandas VHF/UHF
- Equipos de radio base y móviles
- Sistemas de comunicaciones de emergencia
- Equipos de comunicación industrial
- Sistemas de radiodifusión
- Equipos de prueba y medición RF
Lo Más Vendido
Preguntas Frecuentes
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